飞兆半导体推出60V powerTrench MOSFET器件

     飞兆半导体公司(Fairchild semiconductor)开发出N沟道powerTrench MOSFET器件FDMS86500L,以满足设计人员对降低传导损耗和开关损耗的需求.该器件经专门的设计,以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃,并提升DC-DC转换器的整体效率.FDMS86500L是采用行业标准5mmx 6mm Power 56封装的器件,它结合先进的封装技术和硅技术,显著降低了导通阻抗,实现更低的传导损耗.该器件还具有更好的品质因素,高效率和低功耗特色,以期满足效率标准和法规的要求.

 

    FDMS86500L使用屏蔽栅极功率MOSFET技术,提供弟低的开关损耗,结合该器件的低传导损耗,可为设计人员提供其所需的更高的功率密度.它还采用下一代增强型体二极管技术,以实现软恢复,MSL1稳固封装设计.

 

 

 

FDMS86500L数据手册

 

摘自《无线电》2011.6